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- [发明专利]电光调制器-CN202111235451.X在审
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薄方;张茹;张国权;许京军
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南开大学
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2021-10-22
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2022-02-25
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G02F1/03
- 本申请涉及一种电光调制器，所述电源能够产生使所述第一电极和所述第二电极之间，所述第一电极和所述第三电极之间激发出铌酸锂的高阶电光效应的较高的变化的电场。当产生铌酸锂的高阶电光效应时，所述电光调制器的半波电压显著降低。因此，所述电源提供较高的直流偏置电压和较低的射频电压就能够实现信号的调制。所述电光调制器无需再使用射频放大器等器件进行射频信号放大，也符合CMOS驱动电压的要求。因此所述电光调制器的电路部分能够完全集成在芯片上。因此能够实现较大的调制频宽，减小射频损耗，保证调制速率。所述电光调制器实现了低半波电压和较大的调制频宽的有益效果。
- 电光调制器
- [发明专利]电光调制器-CN200810050282.0无效
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李洪祚;梁柱;刘国军;郑建平;金光勇;张剑家;詹伟达;李锐;唐颜峰
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长春理工大学
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2008-01-22
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2008-07-23
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G02F1/03
- 本发明提供的电光调制器由半导体激光器(1)、光纤(2)、准直器(3)、起偏器(4)、电光调制晶体单元(5)、检偏器(6)、激光器电源(9)、供电电源(10)，还有光接收器(7)、光接收器(8)、驱动器(11)、编码信号源(12)构成；各部分采用光纤和光电耦合；准直器(3)采用自聚焦透镜；电光调制晶体单元(5)采用“组合调制”方式，并且采用宽带行波电极。该电光调制器可以实现输出激光功率100mW－500mW、调制带宽0.5GHz－5.0GHz的810nm系列波长激光调制，解决了电光调制器功率和带宽互相制约的难点，在适当降低带宽的条件下，提高了电光调制器的输出激光功率
- 电光调制器
- [发明专利]电光调制器-CN201480075916.1有效
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冀瑞强;曾理
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华为技术有限公司
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2014-05-30
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2021-06-01
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G02F1/025
- 一种电光调制器(100)，用于将电信号调制到光载波中。所述电光调制器(100)包括：输入波导(g1)、分束器(g2)、两个对称的调制臂(e,f)、合束器(h2)、输出波导(h1)。所述调制臂(e,f)包括调制区波导、行波电极(190)和光栅结构(a,b)；所述调制区波导为金属‑氧化物‑半导体MOS结构；所述光栅结构(a,b)配置于所述调制区波导的两侧；所述电信号在所述行波电极(190)上的有效折射率，与所述光载波在两侧配置有所述光栅结构的调制区波导中的群折射率相匹配，从而能够增大电光调制器的带宽。
- 电光调制器
- [发明专利]电光调制器-CN201310225079.3在审
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黄新舜
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鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
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2013-06-07
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2014-12-24
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G02F1/035
- 本发明涉及一种电光调制器，其包括：基底、脊型光波导结构、第一地电极、第一调制电极、第二地电极与第二调制电极；该脊型光波导结构位于该基底的顶面，该脊型光波导结构包括脊型结构及形成在脊型结构中的光波导，该脊型结构包括该分岔部包括第一分支以及第二分支;该第一分支包括第一子Y型光波导，该第一子Y型光波导包括第一子分支与第二子分支；该第二分支包括第二子Y型光波导，该第二子Y型光波导包括第三子分支及第四子分支；该第一地电极与该第一调制电极用于调制该第一子Y型光波导；第二地电极与第二调制电极用于调制该第二子Y型光波导；以使该第一子Y型光波导及该第二子Y型光波导输出的功率相同，从而提高消光比。
- 电光调制器
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